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Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries
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Estudios de tomografía sonda atómica en el Cu (In, Ga) de Se<sub> 2</sub> Los límites de grano

DOI:
10.3791/50376-v

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09:51 min

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April 22, 2013

•

, , , , ,
1Department of Microstructure Physics and Alloy Design,Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, 2Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg ( ZSW )

章

  • 00:05標題
  • 02:29Sample Fabrication for Atom Probe Tomography Analysis
  • 05:43Atom Probe Tomography Analysis in a CAMECA LEAP 3000X HR System
  • 06:31Reconstruction of Atom Probe Tomography Data
  • 07:13Results: Elemental Maps and Concentration Depth Profiles of a Grain Boundary
  • 08:38Conclusion

概要

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En este trabajo, se describe el uso de la técnica de tomografía átomo-sonda para el estudio de los límites de grano de la capa absorbente en una célula solar CIGS. Un enfoque novedoso para preparar las puntas de las sondas que contienen el átomo de límite de grano deseado con una estructura conocida también se presenta aquí.

タグ

Atom Probe TomographyCu(InGa)Se2Grain BoundariesNanoscale CharacterizationSite-specific Sample PreparationFocused-ion-beamElectron Backscatter DiffractionTransmission Electron MicroscopyThin-film Solar Cells

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