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Atom Probe tomografias no Cu (In, Ga) Sé<sub> 2</sub> Contornos de grão
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Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe tomografias no Cu (In, Ga) Sé<sub> 2</sub> Contornos de grão

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09:51 min

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April 22, 2013

DOI:

10.3791/50376-v

DOI:
10.3791/50376-v

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09:51 min
April 22, 2013

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1Department of Microstructure Physics and Alloy Design,Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, 2Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg ( ZSW )

概要

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Neste trabalho, nós descrevemos o uso da técnica de tomografia por sonda átomo para estudar os limites dos grãos da camada de absorção de uma célula solar de CIGS. Também é apresentada uma nova abordagem para preparar as pontas das sondas que contêm o átomo de limite de grão desejado, com uma estrutura conhecida aqui.

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Atom Probe TomographyCu(InGa)Se2Grain BoundariesNanoscale CharacterizationSite-specific Sample PreparationFocused-ion-beamElectron Backscatter DiffractionTransmission Electron MicroscopyThin-film Solar Cells

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Cojocaru-Mirédin, O., Schwarz, T., Choi, P., Herbig, M., Wuerz, R., Raabe, D. Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries. J. Vis. Exp. (74), e50376, doi:10.3791/50376 (2013).

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