Journal
/
Engineering
/
Análisis de Contacto Interfaces para individuales GaN nanocables Dispositivos
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Análisis de Contacto Interfaces para individuales GaN nanocables Dispositivos

español

Automatically Generated

9,270 Views

•

11:13 min

•

November 15, 2013

DOI:

10.3791/50738-v

DOI:
10.3791/50738-v

•

11:13 min
November 15, 2013

•

2 Views
, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Summary

Automatically generated

Una técnica fue desarrollada que elimina películas Ni / Au contactos de metal de su sustrato para permitir la exploración y caracterización del contacto / sustrato y las interfaces de contacto / NW de dispositivos individuales de nanocables de GaN.

Explore More Videos

GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

Read Article

Cite this Article

Herrero, A. M., Blanchard, P. T., Bertness, K. A. Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices. J. Vis. Exp. (81), e50738, doi:10.3791/50738 (2013).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy