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Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

Análise de Contato Interfaces para únicos dispositivos de nanofios de GaN

DOI:
10.3791/50738-v

•

11:13 min

•

November 15, 2013

•

, ,
1Quantum Electronics and Photonics Division,National Institute of Standards and Technology

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

A técnica foi desenvolvida, que remove Ni / Au filmes contato de metal do seu substrato para permitir a análise e caracterização do contato / substrato e interfaces de contato / NW de dispositivos de GaN nanofios individuais.

Tags

GaN NanowireContact InterfaceVoid FormationContact Metal RemovalNi/Au ContactsSiO2 SubstrateContact AdhesionContact MorphologyResidual Contamination

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