Journal
/
/
Analyse van Contact Interfaces for Single GaN Nanodraad Devices
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices
DOI:

11:13 min

November 15, 2013

, ,

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:32Wafer Preparation
  • 03:14Photolithography of Contact Pattern
  • 04:55Electron-beam Evaporation of Contact Metals
  • 06:29Contact Metal Lift-off and Annealing
  • 07:38Ni/Au Film Removal
  • 09:04Results: Annealed Ni/Au Films Removed with Carbon Tape
  • 10:45Conclusion

Summary

Automatic Translation

Een techniek ontwikkeld die Ni / Au contact metaal films verwijdert uit hun substraat te laten voor het onderzoek en karakterisering van het contact / substraat en contact / NW interfaces van enkele GaN nanodraad apparaten.

Related Videos

Read Article