Journal
/
Engineering
/
Nanofabrication של השער שהוגדרו GaAs / AlGaAs נקודות קוונטיות רוחביות
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Nanofabrication של השער שהוגדרו GaAs / AlGaAs נקודות קוונטיות רוחביות

עברית

Automatically Generated

15,915 Views

•

15:47 min

•

November 01, 2013

DOI:

10.3791/50581-v

DOI:
10.3791/50581-v

•

15:47 min
November 01, 2013

•

5 Views
, ,
1Département de Physique, Faculté des Sciences,Université de Sherbrooke

Summary

Automatically generated

מאמר זה מציג פרוטוקול ייצור מפורט לשער שהוגדרו נקודות קוונטיות של מוליכים למחצה לרוחב על heterostructures arsenide גליום. התקני ננו אלה משמשים כדי ללכוד כמה אלקטרונים לשימוש כביטים קוונטיים בעיבוד אינפורמציה קוונטית או לניסויים אחרים Mesoscopic כגון מדידות מוליכות קוהרנטית.

Explore More Videos

Quantum ComputerQubitQuantum DotGaAs/AlGaAsNanofabricationLateral Quantum DotSuperpositionEntanglementSpin StateE-beam LithographyCleanroomScanning Electron MicroscopeE-beam EvaporationWafer FabricationCharacterization

Read Article

Cite this Article

Bureau-Oxton, C., Camirand Lemyre, J., Pioro-Ladrière, M. Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots. J. Vis. Exp. (81), e50581, doi:10.3791/50581 (2013).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy