Journal
/
/
النانوية من بوابة المعرفة الغاليوم / AlGaAs الجانبي نقاط الكم
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
DOI:

15:47 min

November 01, 2013

, ,

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:21Etching of the Mesa
  • 05:53Fabrication of the Ohmic Contacts
  • 08:38Fabrication of the Titanium/Gold Schottky Leads
  • 10:45Fabrication of the Aluminum Gates
  • 11:08Fabrication of the Bonding Pads
  • 11:54Dicing of the Sample
  • 12:50Bonding
  • 13:07Results: Confirming Gate Integrity
  • 15:14Conclusion

Summary

Automatic Translation

وتعرض هذه الورقة على بروتوكول تلفيق مفصلة لبوابة المعرفة من قبل أشباه الموصلات النقاط الكمومية الجانبية على heterostructures الغاليوم. وتستخدم هذه الأجهزة النانومترية الحجم إلى اعتراض بعض الإلكترونات للاستخدام كما بت الكم في معالجة المعلومات الكمومية أو لإجراء التجارب جرحشاعثزرحشرتاد أخرى مثل قياسات تصرف متماسك.

Related Videos

Read Article