Journal
/
/
Nanofabrication de la porte définis-GaAs / AlGaAs latéraux Quantum Dots
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots

Nanofabrication de la porte définis-GaAs / AlGaAs latéraux Quantum Dots

15,915 Views

15:47 min

November 01, 2013

DOI:

15:47 min
November 01, 2013

5 Views
, ,

Summary

Automatically generated

Cet article présente un protocole de fabrication détaillé pour porte-définies semi-conducteurs latéraux points quantiques sur des hétérostructures d'arséniure de gallium. Ces dispositifs nanométriques sont utilisés pour piéger quelques électrons pour être utilisé comme bits quantiques dans le traitement quantique de l'information ou pour d'autres expériences mésoscopiques telles que les mesures de conductance cohérentes.

Read Article