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Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fabricação de cavidades de nanoescala uniformes via Silicon Direct Wafer Bonding

DOI:
10.3791/51179-v

•

10:32 min

•

January 09, 2014

•

, , , ,
1Department of Physics,The State University of New York at Buffalo, 2Joint Quantum Institute,University of Maryland, 3The National Institute of Standards and Technology, 4Cryogenics and Fluids Branch,NASA Goddard Space Flight Center, 5HRL Laboratories

Chapitres

  • 00:05Titre
  • 01:54Bonding Preparation
  • 04:38Wafer Bonding
  • 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
  • 09:59Conclusion

Summary

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Um método para unir permanentemente dois wafers de silício para perceber que um gabinete uniforme é descrito. Isso inclui a preparação de wafer, limpeza, ligação RT e processos de ressarcimento. Os wafers ligados resultantes (células) têm uniformidade de gabinete ~1%1,2. A geometria resultante permite medições de líquidos confinados e gases.

Tags

Silicon Direct Wafer BondingNanoscale CavitiesConfined 4HeLambda TransitionUniform ConfinementThermal OxideLithographic PatterningRCA CleaningHigh-temperature AnnealingThermal And Hydrodynamic Properties

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