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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding
Journal JoVE
Ingénierie
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Journal JoVE Ingénierie
Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
DOI:

10:32 min

January 09, 2014

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Chapitres

  • 00:05Titre
  • 01:54Bonding Preparation
  • 04:38Wafer Bonding
  • 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
  • 09:59Conclusion

Summary

Traduction automatique

Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

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