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Herstellung von uniformen Nanoschuppen-Cavities über Silicon Direct Wafer Bonding
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Chapitres
- 00:05Titre
- 01:54Bonding Preparation
- 04:38Wafer Bonding
- 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
- 09:59Conclusion
Beschrieben wird ein Verfahren zum dauerhaften Verkleben von zwei Siliziumwafern, um ein einheitliches Gehäuse zu realisieren. Dazu gehören Wafervorbereitung, Reinigung, RT-Bindung und Glühprozesse. Die resultierenden gebundenen Wafer (Zellen) haben eine Gleichmäßigkeit des Gehäuses von 1%1,2. Die resultierende Geometrie ermöglicht Messungen von geschlossenen Flüssigkeiten und Gasen.
