Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

00:04Title
00:49Preparation of the Sample and Aqueous Solutions
01:44Preparation of the Measuring Equipment
03:36Measurement and Data Processing
05:47Results: Normalized and Calculated μ-PCD Decay Curves for the n-type 4H-SIC Sample in Air and Aqueous Solutions
06:29Conclusion

Summary

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Come uno dei parametri fisici importanti nel settore dei semiconduttori, vettore vita viene misurata nel presente documento tramite un protocollo che impiegano il metodo di deperimento di fotoconduttività a microonde.

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Microonde Photonics sistemi basati su risonatori-galleria-mode Whispering

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Area selettiva Modifica della Silicon bagnabilità della superficie da impulsi laser UV irradiazione in ambiente liquido

Come Ignite una Pressione atmosferica Microonde torcia al plasma senza alcuna accenditori supplementari

Speciazione e di biodisponibilità Misure di plutonio ambientale Uso Diffusione in film sottili

La quantificazione delle concentrazioni di idrogeno in superficie e di interfaccia Livelli e materiale sfuso attraverso profili di profondità con l'analisi reazione nucleare

Misure di vita portante in semiconduttori attraverso il metodo di deperimento di fotoconduttività a microonde

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