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Fabricação de imagem flexível Sensor baseado no NIPIN Lateral Phototransistors
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Chapters
- 00:05Title
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
Apresentamos um método detalhado para fabricar uma matriz de fototransistor NIPIN lateral deformável para sensores de imagem curvos. A matriz de fototransistor com uma forma de malha aberta, que é composta de ilhas de silicone fina e elásticos metais interligações, proporciona flexibilidade e elasticidade. O analisador do parâmetro caracteriza a propriedade elétrica do fototransistor fabricado.
