A subscription to JoVE is required to view this content. Sign in or start your free trial.
Chapters
- 00:05Title
- 00:26Si Doping and Isolation
- 02:12Sacrificial Oxide Layer Deposition
- 02:59Deposition of the First Layer of Polyimide and Performing the First Metallization
- 04:43Deposition of the Second Layer of Polyimide and Performing the Second Metallization
- 05:12Encapsulating the Sample with Polyimide and Opening via Holes and Mesh Structure
- 05:56Etching the Sacrificial Layer and Transferring the Sample to a Flexible Substrate
- 07:39Results: Current-Voltage Characteristics for the Phototransistor Array in the Curved State
- 08:45Conclusion
نحن نقدم طريقة مفصلة لاختلاق صفيف phototransistor نيبن تشوه الوحشي لأجهزة الاستشعار صورة المنحنية. الصفيف phototransistor مع نموذج شبكة مفتوحة، التي تتألف من جزر رقيقة السيليكون والمط إينتيركونيكتورس معدنية، يوفر المرونة والشلل. محلل معلمة يميز الخاصية الكهربائية ل phototransistor ملفقة.
