Vi presenterer en detaljert metode å utvikle en deformerbare lateral NIPIN phototransistor matrise for buede bildesensorer. Phototransistor matrise med en åpen mesh form, som består av tynne silisium øyer og elastisk metall interconnectors, gir fleksibilitet og stretchability. Parameteren analysatoren karakteriserer elektrisk eiendom fabrikkerte phototransistor.