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희생 나노 입자의 사용은 E-빔 리소그래피에 의해 제조 연락 홀에서 샷 노이즈의 영향을 제거하는 방법
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Use of Sacrificial Nanoparticles to Remove the Effects of Shot-noise in Contact Holes Fabricated by E-beam Lithography
DOI:

07:47 min

February 12, 2017

,

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:20Derivatization and Characterization of Silicon Wafer Surfaces
  • 02:14Gold Nanoparticle (GNP) Deposition into E-beam-patterned Holes
  • 03:46Pol(methyl methacrylate) (PMMA) Photoresist Reflow and Dry- and Wet-etching
  • 04:50Results: Reduction of Shot-noise by Deposition and Subsequent Etching of Sacrificial GNPs
  • 06:29Conclusion

Summary

Automatic Translation

균일 한 크기의 나노 입자는 전자빔 (E-빔) 리소그래피에 의하여 폴리 (메틸 메타 크릴 레이트)의 패터닝 된 콘택 홀 크기 (PMMA) 레지스트 필름의 변동을 제거 할 수있다. 프로세스는 포토 레지스트의 리플 로우 및 플라즈마 - 습식 에칭 단계에 이어 접촉 홀에서 센터 기탁 나노 입자에 정전 깔때기를 포함한다.

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