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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding
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Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding

DOI:
10.3791/51179-v

•

10:32 min

•

January 09, 2014

•

, , , ,
1Department of Physics,The State University of New York at Buffalo, 2Joint Quantum Institute,University of Maryland, 3The National Institute of Standards and Technology, 4Cryogenics and Fluids Branch,NASA Goddard Space Flight Center, 5HRL Laboratories

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:54Bonding Preparation
  • 04:38Wafer Bonding
  • 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
  • 09:59Conclusion

Summary

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Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

Tags

Silicon Direct Wafer BondingNanoscale CavitiesConfined 4HeLambda TransitionUniform ConfinementThermal OxideLithographic PatterningRCA CleaningHigh-temperature AnnealingThermal And Hydrodynamic Properties

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