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Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos
 
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Preparación de gran superficie 2D cristal Hetero-estructuras verticales por el Sulfurization de películas de Metal de la transición para la fabricación de dispositivos

Article DOI: 10.3791/56494-v • 08:50 min • November 28th, 2017
November 28th, 2017 •
1,2, 2,3, 1,2, 1,2
1Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University

Kapitel

Summary
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A través el sulfurization previamente depositados de metales de transición, se pueden fabricar cristal 2D área grande y vertical hetero-estructuras. Película de transferencia de los procedimientos de fabricación del dispositivo se demuestran también en este informe.

Tags

Ingeniería número 129 Vertical 2D hetero-las estructuras cristalinas transición metal dichalcogenides sulfurization frecuencia de radio de la farfulla película de transferencia transistores
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