/

/

إعداد مساحة كبيرة الرأسي 2D المتغايرة كريستال-الهياكل من خلال سولفوريزيشن الأفلام المعادن الانتقالية لتصنيع الجهاز

JoVE Journal
Ingenieurwesen

Zum Anzeigen dieser Inhalte ist ein JoVE-Abonnement erforderlich. Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.

JoVE Journal Ingenieurwesen

Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication

Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

إعداد مساحة كبيرة الرأسي 2D المتغايرة كريستال-الهياكل من خلال سولفوريزيشن الأفلام المعادن الانتقالية لتصنيع الجهاز

9,029 Views

•

08:50 min

•

November 28, 2017

DOI:

10.3791/56494-v

DOI:

10.3791/56494-v

•

08:50 min

November 28, 2017

•

1 Views

Chong-Rong Wu², Tung-Wei Chu³, Kuan-Chao Chen², Shih-Yen Lin²

¹Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, ²Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, ³Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Tags

2D Crystal Heterostructures Vertical 2D Materials Sulfurization Transition Metal Films Device Fabrication RF Sputtering Sapphire Substrate Molybdenum Target Sulfur Powder Tube Furnace Argon Gas Molybdenum Disulfide Tungsten Target

Read Article