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Fabrication de cavités uniformes à l’échelle nanométrique via la liaison directe de plaquettes de silicium
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Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
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Fabrication de cavités uniformes à l’échelle nanométrique via la liaison directe de plaquettes de silicium

DOI:
10.3791/51179-v

•

10:32 min

•

January 09, 2014

•

, , , ,
1Department of Physics,The State University of New York at Buffalo, 2Joint Quantum Institute,University of Maryland, 3The National Institute of Standards and Technology, 4Cryogenics and Fluids Branch,NASA Goddard Space Flight Center, 5HRL Laboratories

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:54Bonding Preparation
  • 04:38Wafer Bonding
  • 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
  • 09:59Conclusion

Summary

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Un procédé de collage permanent de deux plaquettes de silicium de manière à réaliser une enceinte uniforme est décrit. Cela comprend la préparation des plaquettes, le nettoyage, le collage RT et les processus de recuit. Les plaquettes collées résultantes (cellules) ont une uniformité d’enceinte ~1%1,2. La géométrie résultante permet de mesurer des liquides et des gaz confinés.

Tags

Silicon Direct Wafer BondingNanoscale CavitiesConfined 4HeLambda TransitionUniform ConfinementThermal OxideLithographic PatterningRCA CleaningHigh-temperature AnnealingThermal And Hydrodynamic Properties

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