Journal
/
/
Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding
JoVE 杂志
工程学
需要订阅 JoVE 才能查看此.  登录或开始免费试用。
JoVE 杂志 工程学
Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
DOI:

10:32 min

January 09, 2014

, , , ,

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:54Bonding Preparation
  • 04:38Wafer Bonding
  • 08:04Results: Analysis of Bonded Wafers
  • 09:59Conclusion

Summary

自动翻译

Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

Related Videos

Read Article