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Démonstration de la génération de faisceaus à intensité égale par Dielectric Metasurfaces
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Demonstration of Equal-Intensity Beam Generation by Dielectric Metasurfaces
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Démonstration de la génération de faisceaus à intensité égale par Dielectric Metasurfaces

DOI:
10.3791/59066-v

•

09:33 min

•

June 07, 2019

•

, ,
1Department of Mechanical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 2Department of Chemical Engineering,Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 3National Institute of Nanomaterials Technology (NINT)

Chapters

  • 00:04Title
  • 00:52Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H) on a Fused Silica Substrate by Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
  • 01:35Formation of the Chromium Etching Mask
  • 06:53Etching Process of Hydrogenated Amorphous Silicon
  • 07:41Results: The Fabricated Metasurface and its Polarization-independent
  • 08:31Conclusion

Summary

Automatic Translation

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Un protocole pour la fabrication et la caractérisation optique des métasurfaces diélectriques est présenté. Cette méthode peut être appliquée à la fabrication non seulement de séparateurs de faisceau, mais aussi de métasurfaces diélectriques générales, telles que des lentilles, des hologrammes et des manteaux optiques.

Tags

Metasurface FabricationDielectric MetasurfaceEqual-intensity Beam GenerationPECVDPMMAElectron Beam LithographySilicon Photonics

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