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October 23, 2018
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Consecución de contactos Schottky de alta calidad es imprescindible para lograr la modulación eficiente puerta en transistores de efecto de campo de heteroestructura (HFETs). Presentamos la metodología de fabricación y características de los diodos de Schottky en heteroestructuras de Zn-polar BeMgZnO/ZnO con alta densidad gas dos de dimensiones del electrón (2DEG), crecidos por epitaxy de viga molecular asistida por plasma en plantillas de GaN.
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Ding, K., Avrutin, V., Izioumskaia, N., Ullah, M. B., Özgür, Ü., Morkoç, H. Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy. J. Vis. Exp. (140), e58113, doi:10.3791/58113 (2018).
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