/
/
Производство диодов Шоттки на Zn Полярный BeMgZnO/ZnO гетероструктуры, выращенных при содействии плазмы Молекулярно-пучковая эпитаксия
This content is Free Access.
7,360 Views
•
14:16 min
•
October 23, 2018
DOI:
Summary
Automatically generated
Достижение высокого качества шотки контактов важно для достижения эффективной ворота модуляции в гетероструктуре полевых транзисторов (HFETs). Мы представляем изготовление методологии и характеристики диодов Шоттки на Zn Полярный BeMgZnO/ZnO гетероструктур с высокой плотности двух мерных электрона газа (2DEG), выросла при содействии плазмы Молекулярно-пучковая эпитаксия Ган шаблоны.
Explore More Videos
Schottky DiodesZn-polar BeMgZnO/ZnO HeterostructurePlasma-assisted Molecular Beam EpitaxyZinc OxideHeterojunction Field Effect TransistorsTwo-dimensional Electron GasHigh-frequencyHigh-power Field Effect TransistorsElectron SaturationSchottky Contact StabilitySolar Plant DetectorsChemical SensorsBiosensorsSapphire SubstrateMetal Organic CVDAluminum NitrideGallium Nitride
Read Article
Cite this Article
Ding, K., Avrutin, V., Izioumskaia, N., Ullah, M. B., Özgür, Ü., Morkoç, H. Fabrication of Schottky Diodes on Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure Grown by Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy. J. Vis. Exp. (140), e58113, doi:10.3791/58113 (2018).
Copy