Fabbricazione di diodi Schottky su Zn-polar eterostruttura BeMgZnO/ZnO cresciuto di epitassia da fasci molecolari assistita da Plasma

Raggiungimento dei contatti Schottky di alta qualità è di importanza fondamentale per il raggiungimento di modulazione efficiente porta a eterostruttura transistor ad effetto di campo (HFET). Vi presentiamo la metodologia di fabbricazione e le caratteristiche dei diodi Schottky su Zn-polar BeMgZnO/ZnO eterostrutture con gas ad alta densità di elettrone dimensionale due (2DEG), cresciute di epitassia da fasci molecolari assistita da plasma su modelli di GaN.