Journal
/
/
Plasma-assisteret molekyl stråle Epitaxy-vækst på mg3n2 og Zn3n2 tynde film
JoVE 신문
공학
Author Produced
JoVE 비디오를 활용하시려면 도서관을 통한 기관 구독이 필요합니다.  전체 비디오를 보시려면 로그인하거나 무료 트라이얼을 시작하세요.
JoVE 신문 공학
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films
DOI:

13:05 min

May 11, 2019

,

Chapters

  • 00:00Title
  • 00:57MgO Substrate Preparation
  • 01:50Operation of VG V80 MBE
  • 02:13Substrate Loading
  • 04:04Metal Flux Measurements
  • 05:59Nitrogen Plasma
  • 06:51In-situ Laser Light Scattering
  • 08:35Growth Rate Determination
  • 09:13Results
  • 10:46Conclusion

Summary

자동 번역

I denne artikel beskrives væksten af epitaksiale film af mg3n2 og Zn3n2 på MgO-substrater ved hjælp af plasma-assisteret molekyle stråle cellen med N2 -gas som nitrogen kilde og optisk vækst overvågning.

Related Videos

Read Article