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실리콘 다이렉트 웨이퍼 본딩을 통한 균일한 나노스케일 캐비티 제조
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Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
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실리콘 다이렉트 웨이퍼 본딩을 통한 균일한 나노스케일 캐비티 제조

6,179 Views

•

10:32 min

•

January 09, 2014

DOI:

10.3791/51179-v

DOI:
10.3791/51179-v

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10:32 min
January 09, 2014

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1 Views
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1Department of Physics,The State University of New York at Buffalo, 2Joint Quantum Institute,University of Maryland, 3The National Institute of Standards and Technology, 4Cryogenics and Fluids Branch,NASA Goddard Space Flight Center, 5HRL Laboratories

Summary

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균일한 인클로저를 실현하기 위해 두 개의 실리콘 웨이퍼를 영구적으로 접합하는 방법이 설명되어 있다. 여기에는 웨이퍼 준비, 세척, RT 본딩 및 어닐링 프로세스가 포함됩니다. 생성된 접합 웨이퍼(cells)는 인클로저 ~1%1,2의균일성을 갖는다. 그 결과 형상을 통해 제한된 액체와 가스를 측정할 수 있습니다.

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Silicon Direct Wafer BondingNanoscale CavitiesConfined 4HeLambda TransitionUniform ConfinementThermal OxideLithographic PatterningRCA CleaningHigh-temperature AnnealingThermal And Hydrodynamic Properties

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Thomson, S. R. D., Perron, J. K., Kimball, M. O., Mehta, S., Gasparini, F. M. Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding. J. Vis. Exp. (83), e51179, doi:10.3791/51179 (2014).

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