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Medições de tempo de vida transportadora em semicondutores através do método de decaimento de Fotocondutividade de microondas
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Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method

Medições de tempo de vida transportadora em semicondutores através do método de decaimento de Fotocondutividade de microondas

DOI:
10.3791/59007-v

•

07:38 min

•

April 18, 2019

•

, ,
1Department of Electrical & Mechanical Engineering,Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science,Nagoya Institute of Technology

Chapitres

  • 00:04Titre
  • 00:49Preparation of the Sample and Aqueous Solutions
  • 01:44Preparation of the Measuring Equipment
  • 03:36Measurement and Data Processing
  • 05:47Results: Normalized and Calculated μ-PCD Decay Curves for the n-type 4H-SIC Sample in Air and Aqueous Solutions
  • 06:29Conclusion

Summary

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Dentre os parâmetros físicos importantes em semicondutores, tempo de vida do portador é medido aqui através de um protocolo que emprega o método de decaimento de Fotocondutividade de microondas.

Tags

Carrier LifetimeSemiconductorMicrowave Photoconductivity DecayMicro-PCD4H Silicon CarbideAqueous SolutionPulsed LaserPhotodiodeOscilloscopeMicrowave WaveguideSchottky Barrier DiodeGun Diode

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