Journal
/
Engineering
/
Плазменный молекулярный луч Эпитаксисы Рост Mg3N2 и N3N2 Тонкие пленки
JoVE Journal
Engineering
Author Produced
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Плазменный молекулярный луч Эпитаксисы Рост Mg3N2 и N3N2 Тонкие пленки

русский

Automatically Generated

7,399 Views

•

13:05 min

•

May 11, 2019

DOI:

10.3791/59415-v

DOI:
10.3791/59415-v

•

13:05 min
May 11, 2019

•

4 Views
,
1Department of Electrical and Computer Engineering,University of Victoria

Summary

Automatically generated

В этой статье описывается рост эпитаксиальных пленок Mg3N2 и N3N2 на субстратах MgO с помощью плазменной молекулярной лучейной эпитаксии с газом N2 в качестве источника азота и оптического мониторинга роста.

Explore More Videos

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyMg3N2Zn3N2II-V Compound SemiconductorsAnti-bixbyite Crystal StructureMBE GrowthMgO SubstrateHigh-temperature AnnealingRHEEDQuartz Crystal MicrobalanceSample DegassingSample Transfer

Read Article

Cite this Article

Wu, P., Tiedje, T. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Growth of Mg3N2 and Zn3N2 Thin Films. J. Vis. Exp. (147), e59415, doi:10.3791/59415 (2019).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy