Summary

Wachstum und elektrostatischen/chemischen Eigenschaften von Metall/LaAlO3/SrTiO3 Heterostrukturen

Published: February 08, 2018
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Summary

Wir fertigen Metall/LaAlO3/SrTiO3 Heterostrukturen mit einer Kombination aus pulsed Laser Deposition und in Situ Magnetron-Sputtern. Durch Magnetotransport und in Situ Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie-Experimenten untersuchen wir das Zusammenspiel von elektrostatischen und chemische Phänomene des quasi zweidimensionale Elektron Gases in diesem System gebildet.

Abstract

Die quasi-2D-Elektron-System (q2DES), das an der Schnittstelle zwischen LaAlO3 (LAO) und SrTiO3 (STO) bildet hat viel Aufmerksamkeit von der Oxid-Elektronik-Gemeinschaft angezogen. Eines seiner Markenzeichen-Features ist die Existenz einer kritischen LAO-Dicke von 4 Einheit-Zellen (Uc) für Grenzflächen Leitfähigkeit entstehen. Obwohl in der Vergangenheit zu beschreiben, die Existenz dieser kritischen Dicke elektrostatische Mechanismen vorgeschlagen wurden, hat die Bedeutung der chemischen Mängel vor kurzem akzentuiert worden. Hier beschreiben wir das Wachstum der Metall/LAO/STO Heterostrukturen in eine ultrahohe Vakuum (UHV) Cluster-System kombiniert gepulste Laser Deposition (zu den LAO wachsen), das Magnetron-Sputtern (um das Metall zu wachsen) und Röntgen-Photoelektronen-Spektroskopie (XPS). Wir lernen Schritt für Schritt die Entstehung und Entwicklung der q2DES und der chemischen Wechselwirkungen zwischen Metall und der LAO/STO, die auftreten. Darüber hinaus erläutern Magnetotransport Experimente auf den Transport und die elektronischen Eigenschaften der q2DES. Diese systematische Arbeit nicht nur zeigt einen Weg, um die elektrostatische und chemischen Zusammenspiel zwischen der q2DES und seiner Umgebung zu studieren, sondern auch entsperrt die Möglichkeit paar multifunktionale Capper Schichten mit der reichen Physik in zweidimensionalen beobachtet Elektronen-Systemen, ermöglicht die Herstellung neuer Arten von Geräten.

Introduction

Quasi-2D-Elektronen-Systemen (q2DES) ausgiebig als gedient haben einen Spielplatz, um eine Vielzahl von niedrigdimensionalen zu studieren und Quantenphänomene. Ausgehend von der Samen-Papier auf dem LaAlO3/SrTiO3 System (LAO/STO)1, ein Platzen der verschiedenen Systeme, die neue Grenzflächen elektronische Phasen hosten erstellt worden sein. Kombination verschiedener Materialien führte zu die Entdeckung des q2DESs mit zusätzlichen Eigenschaften wie elektrische Feld abstimmbaren Spin Polarisation2, extrem hohe Elektron Mobilitäten3 oder Ferroelectricity-gekoppelte Phänomene4. Obwohl eine riesige Körper der Arbeit gewidmet worden, um die Erstellung und Bearbeitung dieser Systeme zu entwirren, haben einige Experimente und Techniken widersprüchliche Ergebnisse, auch in eher ähnliche Bedingungen gezeigt. Darüber hinaus fand die Balance zwischen elektrostatischen und chemische Wechselwirkungen unbedingt richtig zu verstehen, dass die Physik an5,6,7spielen.

In diesem Artikel beschreiben wir gründlich das Wachstum der verschiedenen Metall/LAO/STO Heterostrukturen mit einer Kombination aus pulsed Laser Deposition (PLD) und in Situ Magnetron-Sputtern. Dann, um die Wirkung der verschiedenen Oberflächenbeschaffenheiten in vergrabenen q2DES an der LAO/STO-Schnittstelle zu verstehen, eine elektronische und chemische Untersuchung erfolgt über Transport und Elektron-Spektroskopie-Experimenten.

Da bereits mehrere Methoden verwendet wurden, um kristalline LAO auf STO wachsen, die Wahl der geeigneten Ablagerung Techniken ist ein entscheidender Schritt für die Herstellung von qualitativ hochwertigen Oxid Heterostrukturen (neben Kosten und Zeit beschränkt). Im PLD trifft einen intensiven und kurzen Laserpuls das Ziel, das gewünschte Material, die dann abgetragen und auf dem Substrat als dünner Film hinterlegt wird. Eines der großen Vorteile dieser Technik ist die Fähigkeit, zuverlässig die Stöchiometrie des Ziels auf den Film, ein wesentliches Element zur Erreichung die gewünschten Phase Bildung übertragen. Darüber hinaus die Fähigkeit der Schicht für Schicht Wachstum (überwacht in Echtzeit mittels Reflexion hochenergetische Elektronenbeugung – RHEED) eine Vielzahl von komplexen Oxide, die Möglichkeit, mehrere Ziele innerhalb der Kammer auf die gleiche Zeit (Ausführung so dass das Wachstum der verschiedenen Materialien ohne Vakuum) und die Einfachheit des Aufbaus machen diese Technik eine der effektivsten und vielseitig.

Doch erlauben andere Techniken wie Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) das Wachstum von noch höherer Qualität epitaktische Wachstum. Anstatt ein Ziel eines bestimmten Materials in MBE ist jedes spezifische Element gegenüber dem Substrat sublimiert wo sie gut definierte Atomlagen bilden miteinander reagieren. Darüber hinaus ermöglicht das Fehlen von hochenergetischen Arten und mehr gleichmäßige Energieverteilung die Herstellung von extrem scharfen Schnittstellen8. Diese Technik ist jedoch sehr viel komplexer als PLD, wenn es darum geht, das Wachstum von Oxiden, da es in extrem hohe ausgeführt werden muss Vakuum Bedingungen (so dass die lange meine freie Weglänge nicht zerstört) und erfordert im Allgemeinen eine größere Investition, Kosten – und zeitlich. Obwohl das Wachstum in den ersten LAO/STO-Publikationen verwendet PLD war, haben Proben mit ähnlichen Merkmalen von MBE9angebaut. Es ist auch erwähnenswert, dass LAO/STO Heterostrukturen mit Sputter10angebaut wurden. Obwohl atomar scharfe Schnittstellen bei hohen Temperaturen (920 ° C) und hohe Sauerstoff-Druck (0,8 Mbar) erreicht wurden, wurde Grenzflächen Leitfähigkeit nicht erreicht.

Für das Wachstum der metallischen Schichten Deckelung verwenden wir Magnetron Sputtern, da sie eine gute Balance zwischen Qualität und Flexibilität bietet. Ndere chemical Vapor Deposition basiert jedoch sein verwendet, um ähnliche Ergebnisse zu erzielen.

Zu guter Letzt ist ein Beispiel für die Kombination aus Transport- und Spektroskopie Techniken zeigte in diesem Artikel systematisch sondieren elektronische und chemische Wechselwirkungen, betonend, wie wichtig es ist, sprechen unterschiedliche Ansätze zu verstehen die vielen Funktionen dieser Arten von Systemen.

Protocol

Hinweis: Alle 5 in diesem Protokoll beschriebenen Schritte können angehalten und neu gestartet zu jeder Zeit, mit der einzigen Bedingung, die die Probe unter Hochvakuum von 3,4 bis 5 Schritt gehalten wird. 1. STO(001) Substrat Kündigung: Füllen Sie einen Ultraschall-Reiniger (mit 40 kHz-Wandler) mit Wasser und erhitzen Sie es auf 60 ° C. Füllen Sie einen Borosilikat Glas Becher mit Aceton. Unabhängig von der Größe des Bechers achten Sie darauf, füllen ihn mi…

Representative Results

Das volle experimentelle System verwendet für Wachstum und Charakterisierung ist in Abbildung 2dargestellt. Mit verschiedenen Setups einer Verteilerkammer im UHV durchgeschaltet wird dringend empfohlen, um sicherzustellen, dass die Oberfläche der Probe nach jeder Wachstumsprozess unberührten gehalten wird. Die PLD Kammer (Abbildung 3), Magnetron Sputtern (Abbildung 7) und XPS Kammer (<strong class…

Discussion

Während Substrat Kündigung sollte man sehr vorsichtig sein mit die abtauchende Zeit in HF-Lösung. Wir beobachten unter und over – etched Oberflächen durch unterschiedliche nur 5 s in Bezug auf das original-Rezept. Darüber hinaus beobachten wir eine Abhängigkeit zwischen Substrat Schrittgröße und Zeit eintauchen. Für kleinere Schrittweiten (weniger als 100 nm) Untertauchen 30 s führen zu übermäßigen Radierung, obwohl danach das Glühen Verfahren möglicherweise ausreichend, um die Oberfläche richtig zu rekon…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Diese Arbeit erhielt Unterstützung von ERC Consolidator Grant #615759 “MINT”, der Region Île-de-France DIM “Oxymore” (Projekt “NEIMO”) und die ANR-Projekt “NOMILOPS”. N. wurde teilweise durch die EPSRC-JSPS Core, Core, JSPS Beihilfe für wissenschaftliche Forschung (B) (#15 H 03548) unterstützt. A.S. wurde von der Deutschen Forschungsgemeinschaft (HO 53461-1; postdoctoral Fellowship, A.S.) unterstützt. D.C.V. Dank dem französischen Ministerium für Hochschulbildung und Forschung und CNRS zur Finanzierung seiner Doktorarbeit. J.s. Dank der Universität Paris-Saclay (D’Alembert Programm) und CNRS zur Finanzierung seines Aufenthalts am CNRS/Thales.

Materials

Pulsed Laser Deposition SURFACE PLD Workstation + UHV Cluster System
KrF Excimer Laser Coherent Compex Pro 201F
Reflection High-Energy Electron Diffraction (electron gun) R-Dec Co., Ltd. RDA-003G Distributed in Europe by SURFACE.
Reflection High-Energy Electron Diffraction (CCD camera) k-Space Associates, Inc. kSA 400
Variable Laser Beam Attenuator Metrolux ML 2100
Excimer Laser Sensor Coherent J-50MUV-248
LaAlO3 target CrysTec Single-crystal target
SrTiO3 subtrates CrysTec Several different sizes. Possibility to order TiO2 terminated.
Buffered HF Acid Technic BOE 7:1 buffered hydrofluoric acid = BOE 7:1 (HF : NH4F = 12.5 : 87.5%) in VLSI-quality.
Silver Paste DuPont 4929N Conductive Silver Composite.
Ultrasonic Cleaner Bransonic 12 Ultrasonic Cleaning Bath
Tube Furnace AET Technologies Heat Treatment Furnace
Borosilicate Glass Beaker VWR 213-1128 Iow form
PTFE Beaker Dynalon PTFE Beaker
Substrate holder "dipper" Eberlé Custom made dipper
Magnetron Sputtering PLASSYS Sputtering system 5 chambers for targets.
Metal targets Neyco S.A. Purity > 99.9%
X-Ray Photoelectron Spectroscopy System Omicron Custom XPS System
X-Ray Source Omicron DAR 400 Twin Anode X-Ray Source.
Energy Analyser Omicron EA 125
Atomic Force Microscopy Bruker Innova AFM
Atomic Force Microscopy Probes Olympus OMCL-AC160TS-R3 Micro Cantilevers
Wire bonding Kulicke & Soffa 4523AD
PPMS Quantum Design PPMS Dynacool 9T magnet.

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Cite This Article
Vaz, D. C., Lesne, E., Sander, A., Naganuma, H., Jacquet, E., Santamaria, J., Barthélémy, A., Bibes, M. Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures. J. Vis. Exp. (132), e56951, doi:10.3791/56951 (2018).

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