É necessária uma assinatura da JoVE para visualizar este conteúdo. Faça login ou comece sua avaliação gratuita.
Нанофабрикации Gate определенные GaAs / AlGaAs квантовых точек Боковые
15,903 Views
•
15:47 min
•
November 01, 2013
DOI:
Summary
Automatically generated
Эта статья представляет собой подробный протокол для изготовления ворот определенных полупроводниковых квантовых точек боковой на арсенид галлия гетероструктур. Эти наноразмерных устройств используются для захвата нескольких электронов для использования в качестве квантовых битов в квантовой обработки информации или для других экспериментов мезоскопическим таких как когерентные измерения проводимости.
Read Article
Cite this Article
Bureau-Oxton, C., Camirand Lemyre, J., Pioro-Ladrière, M. Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots. J. Vis. Exp. (81), e50581, doi:10.3791/50581 (2013).
Copy