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Microscopia elettronica a trasmissione in situ con distorsione e fabbricazione di traverse asimmetriche basate su a -VO x afasemista
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In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
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Microscopia elettronica a trasmissione in situ con distorsione e fabbricazione di traverse asimmetriche basate su a -VO x afasemista

DOI:
10.3791/61026-v

•

09:49 min

•

May 13, 2020

•

, ,
1Functional Materials and Microsystems Research Group and the Micro Nano Research Facility,RMIT University, 2RMIT Microscopy and Microanalysis Facility,RMIT University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:52Fabrication Process and Electrical Characterization
  • 02:33Biasing Chip Mounting on Gridbar
  • 03:14Lamella Preparation and Biasing Chip Mounting
  • 06:50In Situ Transmission Electron Microscopy (TEM)
  • 07:42Results: Representative In Situ Electrical TEM
  • 09:04Conclusion

Summary

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Presentato qui è un protocollo per l'analisi dei cambiamenti nanostrutturali durante la polarizzazione in situ con microscopia elettronica a trasmissione (TEM) per una struttura metallico-isolante-metallo impilata. Ha applicazioni significative nella commutazione resistiva delle traverse per la prossima generazione di circuiti logici programmabili e hardware di neuromimetica, per rivelare i loro meccanismi operativi sottostanti e l'applicabilità pratica.

Tags

In-situ Transmission Electron MicroscopyBiasingCrossbar DevicesAmorphous Vanadium OxideNano-structural ChangesMetal-insulator-metal DevicePhotolithographyPhysical Vapor DepositionLift-offBiasing ChipGridbar

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