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Microscopía electrónica de transmisión in situ con sesgo y fabricación de travesaños asimétricos basados en fase mixta a-VOx
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In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
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Microscopía electrónica de transmisión in situ con sesgo y fabricación de travesaños asimétricos basados en fase mixta a-VOx

DOI:
10.3791/61026-v

•

09:49 min

•

May 13, 2020

•

, ,
1Functional Materials and Microsystems Research Group and the Micro Nano Research Facility,RMIT University, 2RMIT Microscopy and Microanalysis Facility,RMIT University

Chapters

  • 00:04Introduction
  • 00:52Fabrication Process and Electrical Characterization
  • 02:33Biasing Chip Mounting on Gridbar
  • 03:14Lamella Preparation and Biasing Chip Mounting
  • 06:50In Situ Transmission Electron Microscopy (TEM)
  • 07:42Results: Representative In Situ Electrical TEM
  • 09:04Conclusion

Summary

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Aquí se presenta un protocolo para analizar los cambios nanoestructurales durante el sesgo in situ con microscopía electrónica de transmisión (TEM) para una estructura apilada de metal-aislante-metal. Tiene aplicaciones significativas en travesaños de conmutación resistiva para la próxima generación de circuitos lógicos programables y hardware de neuromimicking, para revelar sus mecanismos de operación subyacentes y aplicabilidad práctica.

Tags

In-situ Transmission Electron MicroscopyBiasingCrossbar DevicesAmorphous Vanadium OxideNano-structural ChangesMetal-insulator-metal DevicePhotolithographyPhysical Vapor DepositionLift-offBiasing ChipGridbar

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