Nanoskivingによるナノギャップを作製

テンプレートとしてアルミニウムや銀または自己組織化単分子膜の犠牲層のいずれかを使用して、単一ナノメートルのギャップによって分離され、電気的にアドレス可能な、高アスペクト比（> 1000:1）金属ナノワイヤの製造が記載されている。これらのナノギャップ構造はnanoskivingとして知らエッジリソグラフィの形によってクリーンルームまたは任意の写真や電子ビームリソグラフィ工程なしで製造される。