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薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果
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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

薄膜トランジスタの酸化アルミニウム誘電体層に及ぼす陽極化パラメータの効果

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12:32 min

May 24, 2020

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12:32 min
May 24, 2020

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酸化亜鉛薄膜トランジスタ(TfT)の酸化アルミニウム誘電体層の成長のための陽極酸化パラメータは、電気的パラメータ応答に及ぼす影響を決定するために変化する。分散分析(ANOVA)は、実験のプラケット・バーマン計画(DOE)に適用され、デバイス性能の最適化をもたらす製造条件を決定します。

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