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Der Effekt von Eloxierungsparametern auf die Aluminiumoxid-Dielektrikumsschicht von Dünnschichttransistoren
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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
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Der Effekt von Eloxierungsparametern auf die Aluminiumoxid-Dielektrikumsschicht von Dünnschichttransistoren

Deutsch

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12:32 min

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May 24, 2020

DOI:

10.3791/60798-v

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10.3791/60798-v

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12:32 min
May 24, 2020

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1School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Summary

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Die Eloxierungsparameter für das Wachstum der Aluminiumoxid-Dielektrizitätsschicht von Zinkoxid-Dünnschichttransistoren (TFTs) werden variiert, um die Auswirkungen auf die elektrischen Parameterreaktionen zu bestimmen. Die Varianzanalyse (ANOVA) wird auf ein Plackett-Burman-Experimentdesign (DOE) angewendet, um die Herstellungsbedingungen zu bestimmen, die zu einer optimierten Geräteleistung führen.

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Gomes, T. C., Kumar, D., Alves, N., Kettle, J., Fugikawa-Santos, L. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. J. Vis. Exp. (159), e60798, doi:10.3791/60798 (2020).

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