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Área selectivo Modificación de humectabilidad de la superficie del silicio por pulsos láser UV irradiación en Ambiente Líquido
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Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
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Área selectivo Modificación de humectabilidad de la superficie del silicio por pulsos láser UV irradiación en Ambiente Líquido

DOI:
10.3791/52720-v

•

08:48 min

•

November 09, 2015

•

, ,
1Laboratory for Quantum Semiconductors and Photon-based BioNanotechnology, Interdisciplinary Institute for Technological Innovation, Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2)- CNRS UMI-3463, Faculty of Engineering,Université de Sherbrooke

Chapters

  • 00:05Title
  • 01:24Sample Preparation
  • 02:16Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
  • 03:18Immobilization of Bio-conjugated Nanospheres
  • 03:56Contact Angle Measurement
  • 05:05XPS Measurement
  • 05:52Results: Pulsed UV Laser Irradiation Increases SiOH Surface Concentration
  • 07:10Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

Se presenta en un proceso de alteración in situ de la IC tratada Si (001) de superficie en un estado hidrófilo o hidrófobo irradiando muestras en cámaras de microfluidos llenos 2 O 2 / H 2 O solución (0,01% -0,5%) o soluciones de metanol H mediante láser UV pulsada de un familiar fluencia bajo pulso.

Tags

Keywords: Silicon Surface WettabilityPulsed UV Laser IrradiationLiquid EnvironmentSuperhydrophilicHydrophobicSurface FunctionalizationBiosensingOH-terminated SiSi-OCH3 Compounds

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