この論文は、標準的な電子後方散乱回折システムを備えた走査型電子顕微鏡を用いて超微細粒状およびナノ結晶材料の微細構造を特徴づけるための詳細な方法を提供します。洗練された微細構造を提示する金属合金およびミネラルは、その可能な用途の多様性を示し、この技術を用いて分析されます。
微細構造解析における課題の一つは、今日の超微細粒(UFG)およびナノ結晶材料の信頼性と正確な特性に存在します。このような電子後方散乱回折(EBSD)などの走査型電子顕微鏡(SEM)に関連付けられている伝統的な技術は、によりビームからの電子と材料の原子との間に大きな相互作用体積に必要な空間分解能を有していません。透過型電子顕微鏡(TEM)が必要な空間分解能を有しています。しかし、分析システムにおける自動化の欠如に起因し、データ収集の速度を特徴づけることができる試料の面積を制限する遅いです。本稿では、新たな特徴付け技術、UFG標準EBSDシステムを備えたSEMを用いたナノ結晶材料の微細構造の分析を可能にする送信菊池回折(TKD)を、提示します。この技術の空間分解能は2ナノメートルに達することができます。この技術は、伝統的なEBSDを用いて分析することは困難であろう材料の広い範囲に適用することができます。実験設定を提示し、TKD分析を実現するために必要な様々なステップを説明した後、金属合金、鉱物にその使用の例は、技術および特徴付けられる材料の用語でその柔軟性の解像度を例示するために示されています。
先端材料で、今日の研究のフロンティアの一つは、積極的に仕立て、物理的、化学的およびハイエンドアプリケーションに適した機械的特性を有する材料を設計しようとしています。材料の微細構造の変更は、特定の高性能を達するために、その特性を調整するための有効な方法です。このパラダイムでは、超微細粒を製造するために結晶性材料の結晶粒径を微細化(UFG)又はナノ結晶材料は、その強度1、2を増加させるのに有効な手法であることが示されています。そのような洗練された微細構造は厳しい塑性変形3、4を含むプロセスを介して、または様々な粉末冶金を用いてバルク材料に超微細又はナノサイズ粉末を統合によって達成することができる5、6を処理します。この分野の研究は、株式会社となっています主な目的は、プロセスをスケールアップすると、そのような材料の変形機構を理解することで、過去10年間でreasing。
自然は、このような洗練された結晶性材料を製造する独自の方法を持っているので、UFGおよびナノ結晶材料は、しかし、材料科学における最新のアプリケーションに限定されるものではありません。地質断層帯は、ナノ結晶領域を生成することが知られています。多くの場合、光学顕微鏡の研究に基づいて、非晶質であると想定するが、高分解能透過電子顕微鏡(TEM)及び走査型電子顕微鏡(SEM)は、しばしば、粒子サイズがナノメートル7の十の規模であり得ることが示された分析します。高ひずみ速度変形エピソードは、隕石衝撃時と同様に、また、ナノ結晶構造、ならびに極めて高い欠陥密度8を生成することができます。変形は、常に自然の中でのナノ構造の要件ではありません。ピアースら。 </EM>金鉱山9から抽出された鉱物中のAuとPt /のPTFEナノ粒子のキャラクタリゼーションを介し造山金鉱床コロイド源から金の大量の沈着の証拠を提示しています。そのような真珠のようなシェル構造は、数100nmで10のスケールで結晶単位の規則的配置によって形成されています。でも隕石はUFG鉱物構造体11を含むことが示されています。
どのような材料、これらUFGまたはナノ結晶構造を有するそれらを特徴づけるの出所は、ナノスケールで改善された特性評価ツールの開発を促した課題を提起します。研究されてきた一つの有望な手段は、電子顕微鏡です。その使用に関連する本質的に小さな電子波長は、マテリアの原子構造を分析する可能性を提供するので、このような技術は、完全に、このタスクのために適合され表示されリットル12。既に電子後方散乱回折(EBSD)はサブミクロンスケール13、14、15、16までの粒径を有するUFG材料を特徴付けるために使用することができることが示されています。しかし、現在最先端のSEMを用いたEBSD法の空間分解能は、材料17に応じて、20〜50nm程度に制限されます。当初は、研究者がTEMを使って、超微細微細構造を有するこれらの材料を特徴づけるために解決策を求めたことは驚くべきことではありません。そのような菊池パターンとスポットパターンとしてTEMにおける回折モードを使用して、結晶方位の決意は、10nmのオーダーの空間分解能に到達し、その値が12以下のいくつかのケースでは、18、19ができます。しかし、いくつかの欠点は、蜂を持っていますnは特にEBSD 12、19によって提供される可能性と比較した場合、そのような彼らの速度および角度分解能として、これらの技術を用いて同定しました。自動化された歳差ベースのTEM回折技術はEBSDと同様のインデックス速度を達成することができますが、ほとんどのTEM技術は、オートメーション19の比較的低いレベルに苦しんでいます。また、TEM技術は、一般的に、最適なパフォーマンスを実現するために、機器のレンズ系の重要な、時間のかかるアライメントを必要としています。
より最近、関心が信号を取得し、分析する方法を変更することにより、SEM内菊池回折技術の解像度を向上させるに向かってシフトしています。ケラーとGeissはSEM 20で行わ低エネルギー伝送菊池回折の新しい形態を提示しました。それらは送信EBSD(T-EBSD)と命名方法は、EBSD検出器を必要としますそして、送信中の電子の大角度前方散乱における角度強度変化を捕捉し分析するためのソフトウェアを関連します。その技術を用いて、彼らは、直径10nmのように低いサイズを有するナノ粒子およびナノ粒子から菊池パターンを収集することができました。この場合、分析回折電子が試料を通過し、背面試料の表面から放出されていないという事実は、より適切な技術を説明するために用語の変化を促しました。それが今で送信菊池回折やTKDと呼ばれています。 TKD技術は、より良好な分解能および方位マップ17の自動取得を可能にするTrimbyによって最適化しました。この技術はまた、結晶方位解析21を行いながら、化学的情報を収集するために、エネルギー分散型X線分光法(EDS)と結合することができます。
本論文では、設備の面で要件を提供しますそして、TKDの実験を行うための標本は、データ収集のために必要なさまざまな手順を説明し、そして技術の可能な用途の範囲を示すために、四つの異なる試験片で収集された結果を示しています。ここに提示の実施例は、UFG /ナノ結晶材料またはさらに厳しい塑性変形及び本洗練微細構造が施されている地質材料を作成するために厳しい塑性変形が施されているいずれかの金属合金です。
本稿で提示されたすべてのデータは、標準、商用EBSDシステムを用いて得られました。このようなシステムは、この技術は容易に任意の更なる投資を行うことなく、これらの研究室で適用することができることを意味し、世界中の多くの研究室で利用可能です。 SEMの構成の変更や追加のソフトウェアなしには、TKDデータを収集するために、EBSDシステムを使用する必要はありません。そのため、従来のEBSDからTKDへの移行は非常に簡単です。 TKDのためのデータ取得率は、現在約1,000パターン/秒19まで到達EBSD、のと同様です。この高い速度は、19を走査中にパターン中心位置とパターン中央変化の校正を含む技術の自動化の非常に高いレベルに部分的に起因します。 TKDは、これらの利点のすべての恩恵を受ける。また、EBSDなどTKDは、追加の化学物質を得るために、EDSで簡単に結合することができます。情報( 図7参照 )。
サンプル調製は、そのための時間は、検体を分析するのに十分な薄であることを保証するために、ステップ1.2に費やされるべき、TKDのデータを得ることは非常に重要です。それ以外の場合は、実験を開始しても意味がありません。適切SEMのパラメータを設定すると、信頼性の高いデータを得る上で非常に重要です。ユーザーは特に、ステップ2.5および2.11に注意を払う必要があり、プロトコルに与えられたパラメータの値は、特定のSEM、EBSDシステムおよび標本に調整する必要があるかもしれません。パターン認識(ステップ3.7)を最適化するためのパラメータはまた、収集されたデータの良好な品質を保証するために非常に重要です。これらのパラメータは、関心の完全な領域が高いインデックス・レートで正常にスキャンできることを確認するためにスキャンする領域の異なる地域でさまざまなパターンをテストする必要があります。
本論文で異なる例は、高解像度を証明します伝統的なEBSDと比較して技術の機能。 SEMとEBSDシステムのハードウェアとソフトウェアとの進歩にもかかわらず、EBSD法の分解能は、これらの材料には50nmよりも小さいフィーチャを特徴づけることは不可能であろうことを意味し、高密度材料17のためには20nm未満の値に達することができません。より密度の低い材料で作業する100 nmのマークに最小の分解機能のサイズが大きくなります。 図6bは、技術の空間分解能のようにすることができるように、例えば10〜20 nmと小さい変形Co-Cr-Mo合金中に存在するHCPのラスなどの機能を特徴付けるためにTKDを使用することが可能であることを示しています2 nmの17のような低。
地質材料は、彼らが伝統的なEBSDを用いて特徴づけする必要があるとき、多くの場合、いくつかの問題を提起され、通常、非導電性又は半導電性です。この問題は、Uながら自分自身を提示していませんTKDを歌います。分析中の相互作用体積は、導電性の問題がないことが、試料の薄い幾何所与ほど小さいです。この小さな相互作用ボリュームは、通常、高転位密度として高度に変形材料で作業中にも有利であることは不可能従来EBSDを用いて索引付けすることができるパターンを得ることができます。 図8に見られるように、高度に変形したダイヤモンドは、その粒子中に存在する高転位密度にもかかわらず、TKDを使用して特徴づけることができました。
技術の1つの制限は、サンプルの準備に関する。 EBSDのためであるよりも、TKDのための良好な標本を得ることが困難です。サンプル調製技術は、彼らが難しく、時間がかかる意味TEM試料作製、と同じです。分析するために正しい領域を見つけることも、標本のタイプであるために、それが適切であれば、このようなFIBを使用することによって、サイトの特定の技術を使用して対処することができる課題であります勉強しました。空間分解能はEBSDと比較してTKDとかなり大幅に改善それでもTEM 17、19を用いて達成することができるものほど良好ではありません。
本稿では、TKDは、多様な起源からナノ結晶とUFG材料を特徴付けるための貴重な技術であることを実証しています。導電率の項の適用、スピード、解像度および柔軟性の容易さは、サンプル調製の難しさを上回ります。技術の将来は、 その場の特性にに存在します。 TKD解析を行いながらその場で機械的試験リグで使用することによって、これらのナノ及び超微細ミクロ構造は、外部負荷の下でどのように変化するかを観察することが可能となります。これは、ナノ結晶とUFG材料の変形メカニズムに関する我々の知識を増加します。
The authors have nothing to disclose.
The authors acknowledge the facilities, and the scientific and technical assistance, of the Australian Microscopy & Microanalysis Research Facility at the Australian Centre for Microscopy and Microanalysis, The University of Sydney. This research was partially supported by funding from the Faculty of Engineering & Information Technologies, The University of Sydney, under the Faculty Research Cluster Program, from the Regional Council of Champagne-Ardenne (France) through the NANOTRIBO project and from the European FEDER program.
Scanning electron microscope | Zeiss | Preferably equipped with a field emission source in order to maximize spatial resolution. The one used here is a Zeiss Ultra plus field emission-SEM | |
Electron backscatter diffraction detector | Oxford instruments | Different system are available on the market. The one is in this work is a Nordlys-nano EBSD detector from Oxford instruments. Forescatter detectors are mounted belown the detector phospor screen which is an option. | |
Electron backscatter diffraction software for data acquisition and analysis | Oxford instruments | The protocal is described here for the usage of the AZtecHKL EBSD software but other software can be used as well | |
EDS dector | Oxford instruments | This is optional. The one used here is a X-Max 20mm2 silicon drift EDS detector from Oxford instruments | |
sample holder for TKD | ANY | As long as it can handle thin specimen and can be placed in the correct orientation within the microscope. Different companies sell specific sample holders for TKD analysis if required by the user. | |
Plasma cleaner | Evactron | This is optional. The one used here is Evactron Model 25 RF Plasma Decontaminator for FIB/SEM and Vacuum Chambers |