Journal
/
/
Effekten av anodiseringparametere på aluminiumoksiddielektrisk lag av tynnfilmtransistorer
JoVE 신문
화학
Author Produced
JoVE 비디오를 활용하시려면 도서관을 통한 기관 구독이 필요합니다.  전체 비디오를 보시려면 로그인하거나 무료 트라이얼을 시작하세요.
JoVE 신문 화학
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

, , , ,

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

자동 번역

Anodiseringsparametere for vekst av aluminiumoksiddielektrisk lag av sinkoksid tynnfilmtransistorer (TFTs) er varierte for å bestemme effekten på de elektriske parameterresponsene. Analyse av varians (ANOVA) brukes på en Plackett-Burman-design av eksperimenter (DOE) for å bestemme produksjonsforholdene som resulterer i optimalisert enhetsytelse.

Related Videos

Read Article