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पतली फिल्म ट्रांजिस्टर के एल्यूमीनियम ऑक्साइड डाइइलेक्ट्रिक परत पर एनोडाइजेशन मापदंडों का प्रभाव
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12:32 min
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May 24, 2020
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जिंक-ऑक्साइड पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (TFTs) के एल्यूमीनियम-ऑक्साइड डाइइलेक्ट्रिक लेयर के विकास के लिए एनोडाइजेशन पैरामीटर विद्युत पैरामीटर प्रतिक्रियाओं पर प्रभाव निर्धारित करने के लिए भिन्न हैं। विचरण (एनोवा) का विश्लेषण विनिर्माण स्थितियों को निर्धारित करने के लिए प्रयोगों (डीओई) के प्लैकेट-बर्मन डिजाइन पर लागू किया जाता है जिसके परिणामस्वरूप अनुकूलित डिवाइस प्रदर्शन होता है।
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Gomes, T. C., Kumar, D., Alves, N., Kettle, J., Fugikawa-Santos, L. The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors. J. Vis. Exp. (159), e60798, doi:10.3791/60798 (2020).
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