Journal
/
공학
/
انتقائية المساحة تعديل السيليكون بلل السطح بواسطة الليزر النبضي للأشعة فوق البنفسجية تشعيع في البيئة السائلة
JoVE 신문
공학
JoVE 비디오를 활용하시려면 도서관을 통한 기관 구독이 필요합니다.  전체 비디오를 보시려면 로그인하거나 무료 트라이얼을 시작하세요.
JoVE 신문 공학
Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

انتقائية المساحة تعديل السيليكون بلل السطح بواسطة الليزر النبضي للأشعة فوق البنفسجية تشعيع في البيئة السائلة

8,118 Views

•

08:48 min

•

November 09, 2015

DOI:

10.3791/52720-v

DOI:
10.3791/52720-v

•

08:48 min
November 09, 2015

•

1 Views
, ,
1Laboratory for Quantum Semiconductors and Photon-based BioNanotechnology, Interdisciplinary Institute for Technological Innovation, Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes (LN2)- CNRS UMI-3463, Faculty of Engineering,Université de Sherbrooke

Summary

Automatically generated

نحن تقريرا عن عملية التغيير في الموقع من HF تعامل سي (001) السطح إلى دولة ماء أو مسعور من قبل تشعيع العينات في غرف ميكروفلويديك مليئة H 2 O 2 / H 2 O الحل (0.01٪ -0.5٪) أو حلول الميثانول باستخدام نابض ليزر الأشعة فوق البنفسجية من النسبية منخفضة نبض فلوينس.

Explore More Videos

Silicon Surface WettabilityPulsed UV Laser IrradiationLiquid EnvironmentSuperhydrophilicHydrophobicSurface FunctionalizationBiosensingOH-terminated SiSi-OCH3 Compounds

Read Article

Cite this Article

Liu, N., Moumanis, K., Dubowski, J. J. Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment. J. Vis. Exp. (105), e52720, doi:10.3791/52720 (2015).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy