Summary

Настройка свойств оксида методом контроля вакансий кислорода при росте и отжиге

Published: June 09, 2023
doi:

Summary

Оксидные материалы проявляют множество экзотических свойств, которыми можно управлять, регулируя содержание кислорода. Здесь мы демонстрируем настройку содержания кислорода в оксидах путем варьирования параметров импульсного лазерного осаждения и выполнения постотжига. Например, электронные свойства гетероструктур на основе SrTiO3 настраиваются с помощью модификаций роста и отжига.

Abstract

Электрические, оптические и магнитные свойства оксидных материалов часто можно контролировать, изменяя содержание кислорода. Здесь мы описываем два подхода к варьированию содержания кислорода и приводим конкретные примеры настройки электрических свойств гетероструктур на основе SrTiO3. В первом подходе содержание кислорода контролируется путем изменения параметров осаждения во время импульсного лазерного осаждения. Во втором подходе содержание кислорода настраивается путем отжига образцов в кислороде при повышенных температурах после роста пленки. Эти подходы могут быть использованы для широкого диапазона оксидов и неоксидных материалов, свойства которых чувствительны к изменению степени окисления.

Подходы значительно отличаются от электростатического стробирования, которое часто используется для изменения электронных свойств замкнутых электронных систем, таких как те, которые наблюдаются в гетероструктурах на основе SrTiO3. Контролируя концентрацию кислородных вакансий, мы можем контролировать плотность носителей на многие порядки, даже в незамкнутых электронных системах. Более того, можно управлять свойствами, которые не чувствительны к плотности странствующих электронов.

Introduction

Содержание кислорода играет жизненно важную роль в свойствах оксидных материалов. Кислород обладает высокой электроотрицательностью и в полностью ионном пределе притягивает два электрона от соседних катионов. Эти электроны отдаются решетке, когда образуется кислородная вакансия. Электроны могут быть захвачены и образовывать локализованное состояние, или они могут стать делокализованными и способными проводить зарядный ток. Локализованные состояния обычно расположены в запрещенной зоне между валентной зоной и зоной проводимости с полным угловым моментом, который может быть ненулевым 1,2,3. Таким образом, локализованные состояния могут образовывать локализованные магнитные моменты и оказывать большое влияние, например, на оптические и магнитные свойства 1,2,3. Если электроны становятся делокализованными, они вносят свой вклад в плотность странствующих носителей заряда. Кроме того, если образуется кислородная пустота или другие дефекты, решетка приспосабливается к дефекту. Таким образом, наличие дефектов может естественным образом привести к локальным полям деформации, нарушению симметрии и модифицированному электронному и ионному переносу в оксидах.

Таким образом, управление стехиометрией кислорода часто является ключом к настройке, например, оптических, магнитных и транспортных свойств оксидных материалов. Ярким примером являются гетероструктуры на основе SrTiO 3 и SrTiO3, где основное состояние материальных систем очень чувствительно к содержанию кислорода. Нелегированный SrTiO 3 представляет собой немагнитный изолятор с запрещенной зоной3,2 эВ; однако, вводя кислородные вакансии, SrTiO3 изменяет состояние с изолирующего на металлическое проводящее с подвижностью электронов, превышающей 10 000см2/Vs при 2 K4. При низких температурах (T < 450 мК) сверхпроводимость может быть даже предпочтительным основным состоянием 5,6. Также было обнаружено, что кислородные вакансии в SrTiO3 делают его ферромагнитным7 и приводят к оптическому переходу в видимом спектре от прозрачного к непрозрачному2. Уже более десяти лет существует большой интерес к нанесению различных оксидов, таких как LaAlO3, CaZrO 3 и γ-Al2O 3, на SrTiO 3 и изучению свойств, возникающих на границе раздела8,9,10,11,12,13 . В некоторых случаях оказывается, что свойства интерфейса заметно отличаются от тех, которые наблюдаются в родительских материалах. Важным результатом гетероструктур на основе SrTiO3 является то, что электроны могут быть ограничены границей раздела, что позволяет управлять свойствами, связанными с плотностью странствующих электронов, с помощью электростатического стробирования. Таким образом, становится возможным настроить, например, подвижность электронов 14,15, сверхпроводимость11, спариваниеэлектронов 16 и магнитное состояние17 границы раздела с помощью электрических полей.

Формирование границы раздела также позволяет контролировать химический состав SrTiO 3, где осаждение верхней пленки на SrTiO3 может быть использовано для индукции окислительно-восстановительной реакции на границераздела 18,19. Если оксидная пленка с высоким сродством к кислороду осаждается на SrTiO 3, кислород может переноситься из приповерхностных частей SrTiO 3 в верхнюю пленку, тем самым восстанавливая SrTiO3 и окисляя верхнюю пленку (см. рис. 1).

Figure 1
Рисунок 1: Образование кислородных вакансий в SrTiO3. Схематическая иллюстрация того, как образуются кислородные вакансии и электроны в ближней области раздела SrTiO3 при осаждении тонкой пленки с высоким сродством к кислороду. Перепечатано с разрешения исследования Chen et al.18. Авторское право 2011 Американского химического общества. Пожалуйста, нажмите здесь, чтобы просмотреть увеличенную версию этого рисунка.

В этом случае кислородные вакансии и электроны образуются вблизи границы раздела. Предполагается, что этот процесс является источником проводимости, образующейся при осаждении на границе раздела между SrTiO 3 и выращенными при комнатной температуре металлическими пленками или оксидами, такими как аморфный LaAlO 3 18,20 или γ-Al2O 3 10,21,22,23. Таким образом, свойства этих интерфейсов на основе SrTiO3 очень чувствительны к содержанию кислорода на границе раздела.

Здесь мы сообщаем об использовании отжига после осаждения и вариациях параметров импульсного лазерного осаждения для управления свойствами оксидных материалов путем настройки содержания кислорода. Мы используем γ-Al2O 3 или аморфный LaAlO 3, осажденный на SrTiO 3 при комнатной температуре, в качестве примеров того, как плотность носителя, подвижность электронов и сопротивление листа могут быть изменены на порядки, контролируя количество кислородных вакансий. Эти методы предлагают некоторые преимущества по сравнению с теми, которые получены с помощью электростатического стробирования, которое обычно используется для настройки электрическихсвойств 9,11,14 и, в некоторых случаях, магнитных 15,17. Эти преимущества включают формирование (квази-)стабильного конечного состояния и отказ от использования электрических полей, которые требуют электрического контакта с образцом и могут вызывать побочные эффекты.

Далее мы рассмотрим общие подходы к настройке свойств оксидов путем управления содержанием кислорода. Это делается двумя способами, а именно: 1) путем изменения условий роста при синтезе оксидных материалов и 2) путем отжига оксидных материалов в кислороде. Эти подходы могут быть применены для настройки ряда свойств во многих оксидных и некоторых монооксидных материалах. Приведен конкретный пример настройки плотности носителей на границе раздела гетероструктур на основе SrTiO3. Обеспечьте высокий уровень чистоты, чтобы избежать загрязнения образцов (например, с помощью перчаток, трубчатых печей, предназначенных для SrTiO3, и немагнитного/кислотостойкого пинцета).

Protocol

1. Управление свойствами путем изменения условий роста Подготовка высококачественных поверхностей SrTiO3 Приобретите подложки SrTiO3 со смешанными концевыми концами (например, размером 5 мм x 5 мм x 0,5 мм) с типичным углом поверхности 0,05°–0,2° по отношению к (001) кр…

Representative Results

Управление свойствами путем изменения условий ростаИзменение параметров осаждения во время осаждения оксидов может привести к значительному изменению свойств, в частности для гетероструктур на основе SrTiO3, как показано на рисунке 2.</…

Discussion

Описанные здесь методы основаны на использовании содержания кислорода для контроля свойств оксидов, а парциальное давление кислорода и рабочая температура, таким образом, являются критическими параметрами. Если общая степень окисления системы настроена таким образом, что система ос?…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

Авторы благодарят Й. Гейти из Технического университета Дании за техническую помощь. Ф. Триер благодарит за поддержку исследовательским грантом VKR023371 (SPINOX) от VILLUM FONDEN. Д. В. Кристенсен выражает благодарность за поддержку программы NERD Фонда «Ново Нордиск»: новые поисковые исследования и открытия, превосходный грант NNF21OC0068015.

Materials

SrTiO3 Crystec Single crystalline (001) oriented, 0.05-0.2 degree miscut angle
LaAlO3 Shanghai Daheng Optics and Fine Mechanics Co.Ltd. Single crystalline
Al2O3 Shanghai Daheng Optics and Fine Mechanics Co.Ltd. Single crystalline
Chemicals and gases Standard suppliers
Silver paste SPI Supplies, Structure Probe Inc 05001-AB, High purity silver paint
Ultrasonicator VWR USC500D HF45kHz/100W
Wedge wire bonder Shenzhen Baixiangyuan Science & Technology Co.,Ltd. HS-853A Aluminum wire bonder
Pulsed laser deposition Twente Solid State Technologies (TSST) PLD from TSST with software version V3.0.29, equipped with a 248 nm KrF
nanosecond laser (Compex Pro 205 F) from Coherent
Resistance measurement setup Custom made Based on the following electrical instruments and custom written software:
Keithley 6221 DC and AC current source
Keithley 2182A nanovoltmeter
Keithley 7001 switch system with a matrix card
Keithley 6487 picoammeter
Hall measurements Cryogenics Based on the following electrical instruments and custom written software:
Keithley 2400 DC current source
Keithley 2182A nanovoltmeter
Keithley 7001 switch system with a matrix card
Furnace Custom made Custom written software control of a FTTF 500/70 tube furnace from Scandia Ovnen AS and a eurotherm 2216e temperature controller

References

  1. Pavlenko, N., Kopp, T., Tsymbal, E. Y., Sawatzky, G. A., Mannhart, J. Magnetic and superconducting phases at the LaAlO3/SrTiO3 interface: The role of interfacial Ti 3d electrons. Physical Review B. 85 (2), 020407 (2012).
  2. Schütz, P., et al. Microscopic origin of the mobility enhancement at a spinel/perovskite oxide heterointerface revealed by photoemission spectroscopy. Physical Review B. 96, 161409 (2017).
  3. Choi, H., Song, J. D., Lee, K. -. R., Kim, S. Correlated Visible-Light Absorption and Intrinsic Magnetism of SrTiO3 Due to Oxygen Deficiency: Bulk or Surface Effect. Inorganic Chemistry. 54 (8), 3759-3765 (2015).
  4. Frederikse, H. P. R., Hall Hosler, W. R. Mobility in SrTiO3. Physical Review. 161 (3), (1967).
  5. Schooley, J. F., Hosler, W. R., Cohen, M. L. Superconductivity in Semiconducting SrTiO3. Physical Review Letters. 12 (17), 474-475 (1964).
  6. Schooley, J. F., et al. Dependence of the Superconducting Transition Temperature on Carrier Concentration in Semiconducting SrTiO3. Physical Review Letters. 14 (9), 305-307 (1965).
  7. Coey, J. M. D., Venkatesan, M., Stamenov, P. Surface magnetism of strontium titanate. Journal of Physics: Condensed Matter. 28 (48), 485001 (2016).
  8. Ohtomo, A., Hwang, H. Y. A high-mobility electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 heterointerface. Nature. 427 (6973), 423-426 (2004).
  9. Thiel, S., Hammerl, G., Schmehl, A., Schneider, C. W., Mannhart, J. Tunable quasi-two-dimensional electron gases in oxide heterostructures. Science. 313 (5795), 1942-1945 (2006).
  10. Chen, Y. Z., et al. A high-mobility two-dimensional electron gas at the spinel/perovskite interface of γ-Al2O3/SrTiO3. Nature Communications. 4, 1371 (2013).
  11. Caviglia, A. D., et al. Electric field control of the LaAlO3/SrTiO3 interface ground state. Nature. 456 (7222), 624-627 (2008).
  12. Christensen, D. V., et al. Electric field control of the γ-Al2O3/SrTiO3 interface conductivity at room temperature. Applied Physics Letters. 109 (2), 021602 (2016).
  13. Chen, Y., et al. Creation of High Mobility Two-Dimensional Electron Gases via Strain Induced Polarization at an Otherwise Nonpolar Complex Oxide Interface. Nano Letters. 15 (3), 1849-1854 (2015).
  14. Bell, C., et al. Dominant Mobility Modulation by the Electric Field Effect at the LaAlO3/SrTiO3 Interface. Physical Review Letters. 103 (22), 226802 (2009).
  15. Niu, W., et al. Giant Tunability of the Two-Dimensional Electron Gas at the Interface of γ-Al2O3/SrTiO3. Nano Letters. 17, 6878 (2017).
  16. Cheng, G., et al. Electron pairing without superconductivity. Nature. 521 (7551), 196-199 (2015).
  17. Bi, F., et al. Room-temperature electronically-controlled ferromagnetism at the LaAlO3/SrTiO3 interface. Nature Communications. 5, (2014).
  18. Chen, Y., et al. Metallic and Insulating Interfaces of Amorphous SrTiO3-Based Oxide Heterostructures. Nano Letters. 11 (9), 3774-3778 (2011).
  19. Chen, Y. Z., et al. On the origin of metallic conductivity at the interface of LaAlO3/SrTiO3. Applied Surface Science. 258 (23), 9242-9245 (2012).
  20. Trier, F., et al. Degradation of the interfacial conductivity in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures during storage at controlled environments. Solid State Ionics. 230, 12-15 (2013).
  21. Christensen, D. V., Smith, A. Is γ-Al2O3 polar. Applied Surface Science. , 887-890 (2017).
  22. Gunkel, F., et al. Thermodynamic Ground States of Complex Oxide Heterointerfaces. ACS Applied Materials & Interfaces. 9 (1), 1086-1092 (2017).
  23. Christensen, D. V., et al. Controlling the carrier density of SrTiO3-based heterostructures with annealing. Advanced Electronic Materials. 1700026. , (2017).
  24. Connell, J. G., Isaac, B. J., Ekanayake, G. B., Strachan, D. R., Seo, S. S. A. Preparation of atomically flat SrTiO3 surfaces using a deionized-water leaching and thermal annealing procedure. Applied Physics Letters. 101 (25), 251607-251607 (2012).
  25. Koster, G., Kropman, B. L., Rijnders, G. J., Blank, D. H., Rogalla, H. Quasi-ideal strontium titanate crystal surfaces through formation of strontium hydroxide. Applied Physics Letters. 73 (20), 2920-2922 (1998).
  26. Komiyama, M., Gu, M. Atomic force microscopy images of MgO (100) and TiO2 (110) under water and aqueous aromatic molecule solutions. Applied Surface Science. 120 (100), 125-128 (1997).
  27. Kawasaki, M., et al. Atomic control of the SrTiO3 crystal surface. Science. 266 (5190), 1540-1542 (1994).
  28. Chambers, S. A., Droubay, T. C., Capan, C., Sun, G. Y. Unintentional F doping of SrTiO3(001) etched in HF acid-structure and electronic properties. Surface Science. 606 (001), 554-558 (2012).
  29. vander Pauw, L. J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape. Philips Research Reports. 13, 1-9 (1958).
  30. Chen, Y. Z., et al. Room Temperature Formation of High-Mobility Two-Dimensional Electron Gases at Crystalline Complex Oxide Interfaces. Advanced Materials. 26, (2013).
  31. Christensen, D. V., et al. Electron Mobility in γ-Al2O3/SrTiO3. Physical Review Applied. 9 (5), 054004 (2018).
  32. Cen, C., et al. Nanoscale control of an interfacial metal-insulator transition at room temperature. Nature Materials. 7 (4), 298-302 (2008).
  33. Cen, C., Thiel, S., Mannhart, J., Levy, J. . Oxide Nanoelectronics on Demand. Science. 323 (5917), 1026-1030 (2009).
  34. Xu, C., et al. Disentanglement of growth dynamic and thermodynamic effects in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures. Scientific Reports. 6, 22410 (2016).
  35. Chambers, S. A. Understanding the mechanism of conductivity at the LaAlO3/SrTiO3(001) interface. Surface Science. 605 (001), 1133-1140 (2011).
  36. Nakagawa, N., Hwang, H. Y., Muller, D. A. Why some interfaces cannot be sharp. Nature Materials. 5 (3), 204-209 (2006).
  37. Sambri, A., et al. Plasma plume effects on the conductivity of amorphous-LaAlO3/SrTiO3 interfaces grown by pulsed laser deposition in O2. and Ar. Applied Physics Letters. 100 (23), 231605 (2012).
  38. Biscaras, J., et al. Limit of the electrostatic doping in two-dimensional electron gases. of LaXO3(X = Al, Ti)/SrTiO3. Scientific Reports. 4, 6788 (2014).
  39. Christensen, D. V., et al. Controlling interfacial states in amorphous/crystalline LaAlO3/SrTiO3 heterostructures by electric fields. Applied Physics Letters. 102 (2), 021602 (2013).

Play Video

Cite This Article
Steegemans, T., Yun, S., Lobato, C. N., Brand, E., Chen, Y., Trier, F., Christensen, D. V. Tuning Oxide Properties by Oxygen Vacancy Control During Growth and Annealing. J. Vis. Exp. (196), e58737, doi:10.3791/58737 (2023).

View Video