Rivista
/
Ingegneria
/
Taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga Photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler
JoVE Journal
Ingegneria
This content is Free Access.
JoVE Journal Ingegneria
Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Taşıyıcı ömür boyu ölçümlerde mikrodalga Photoconductivity çürüme yöntemi aracılığıyla yarı iletkenler

27,063 Views

•

07:38 min

•

April 18, 2019

DOI:

10.3791/59007-v

DOI:
10.3791/59007-v

•

07:38 min
April 18, 2019

•

61 Views
, ,
1Department of Electrical & Mechanical Engineering,Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science,Nagoya Institute of Technology

Summary

Automatically generated

Yarı iletkenler önemli fiziksel parametrelerden biri, taşıyıcı ömür boyu burada mikrodalga photoconductivity çürüme yöntemi kullanan bir iletişim kuralı ölçülür.

Explore More Videos

Carrier LifetimeSemiconductorMicrowave Photoconductivity DecayMicro-PCD4H Silicon CarbideAqueous SolutionPulsed LaserPhotodiodeOscilloscopeMicrowave WaveguideSchottky Barrier DiodeGun Diode

Read Article

Cite this Article

Asada, T., Ichikawa, Y., Kato, M. Carrier Lifetime Measurements in Semiconductors through the Microwave Photoconductivity Decay Method. J. Vis. Exp. (146), e59007, doi:10.3791/59007 (2019).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy