Quantification of Hydrogen Concentrations in Surface and Interface Layers and Bulk Materials through Depth Profiling with Nuclear Reaction Analysis

00:05Titre
01:29Single Crystal Surface Preparation for Nuclear Reaction Analysis (NRA) in Ultra-high Vacuum
08:07Surface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis Measurements
09:24Bulk and Interface Hydrogen Nuclear Reaction Analysis: Preparation and Measurement
11:02Results: Nuclear Reaction Analysis Hydrogen Depth Profiles for Single Crystal Palladium and from Silicon Dioxide Films on Silicon
12:50Conclusion

Summary

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우리는 ¹ H의 적용을 도시한다 ⁽¹⁵ N을 αγ) 정량적 부피, 표면에 수소 원자의 농도를 평가하고, 고체 물질의 계면 층에 ¹² 개의 C 공진 핵반응 분석 (NRA). ₂ /시 (100) 스택 PD (110) 단결정 및 그런가의 표면 근처의 수소 깊이 프로파일 설명한다.

핵 반응 분석과 깊이 프로파일 링을 통해 표면 및 인터페이스 레이어 및 대량 재료의 수소 농도의 정량화

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