Journal
/
Ingénierie
/
Количественное водорода концентрации в поверхностных и интерфейсных слоев и сыпучих материалов через профилирование по глубине с анализом ядерной реакции
Journal JoVE
Ingénierie
Un abonnement à JoVE est nécessaire pour voir ce contenu.  Connectez-vous ou commencez votre essai gratuit.
Journal JoVE Ingénierie
Quantification of Hydrogen Concentrations in Surface and Interface Layers and Bulk Materials through Depth Profiling with Nuclear Reaction Analysis
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

Количественное водорода концентрации в поверхностных и интерфейсных слоев и сыпучих материалов через профилирование по глубине с анализом ядерной реакции

25,851 Views

•

14:11 min

•

March 29, 2016

DOI:

10.3791/53452-v

DOI:
10.3791/53452-v

•

14:11 min
March 29, 2016

•

17 Views
, , , ,
1Institute of Industrial Science,The University of Tokyo, 2Micro Analysis Laboratory, Tandem accelerator, The University Museum,The University of Tokyo

Summary

Automatically generated

Проиллюстрируем применение 1 H (15 N, αγ) 12 C резонансная реакция анализ ядерных (НРА) количественно оценить плотность атомов водорода на поверхности, в объеме и на границе раздела фаз слоя твердых материалов. Приповерхностный глубина водорода Профилирование Pd (110) монокристалла и SiO 2 / Si (100) стеки описан.

Explore More Videos

Hydrogen ConcentrationNuclear Reaction AnalysisDepth ProfilingSurface And Interface LayersBulk MaterialsHydrogen StorageFuel CellsHydrogenation CatalystsSemiconductor TechnologyPalladiumLow Energy Electron DiffractionAuger Electron Spectroscopy

Read Article

Cite this Article

Wilde, M., Ohno, S., Ogura, S., Fukutani, K., Matsuzaki, H. Quantification of Hydrogen Concentrations in Surface and Interface Layers and Bulk Materials through Depth Profiling with Nuclear Reaction Analysis. J. Vis. Exp. (109), e53452, doi:10.3791/53452 (2016).

Download .ris file

Copy

Share Video

.

Copy