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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備
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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備

DOI:
10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

, , ,
1Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:47WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth
  • 03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
  • 06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
  • 08:11Conclusion

Summary

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事前に堆積した遷移金属の硫化による大面積と垂直方向の 2次元結晶ヘテロ構造を加工できます。本報告ではフィルムの転送とデバイス作製手順も示します。

Tags

2D Crystal HeterostructuresVertical 2D MaterialsSulfurizationTransition Metal FilmsDevice FabricationRF SputteringSapphire SubstrateMolybdenum TargetSulfur PowderTube FurnaceArgon GasMolybdenum DisulfideTungsten Target

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