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工程学
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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備
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工程学
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工程学
Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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大面積垂直 2次元結晶ヘテロ構造デバイス作製のための遷移金属薄膜の硫化からの準備
DOI:
10.3791/56494-v
•
08:50 min
•
November 28, 2017
•
Chong-Rong Wu
2
,
Tung-Wei Chu
3
,
Kuan-Chao Chen
2
,
Shih-Yen Lin
2
1
Graduate Institute of Electronics Engineering
,
National Taiwan University
,
2
Research Center for Applied Sciences
,
Academia Sinica
,
3
Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics
,
National Taiwan University
Chapters
00:05
Title
00:47
WS
2
/MoS
2
Vertical Heterostructure Growth
03:49
Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
06:21
Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
08:11
Conclusion
Summary
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事前に堆積した遷移金属の硫化による大面積と垂直方向の 2次元結晶ヘテロ構造を加工できます。本報告ではフィルムの転送とデバイス作製手順も示します。
Tags
2D Crystal Heterostructures
Vertical 2D Materials
Sulfurization
Transition Metal Films
Device Fabrication
RF Sputtering
Sapphire Substrate
Molybdenum Target
Sulfur Powder
Tube Furnace
Argon Gas
Molybdenum Disulfide
Tungsten Target
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