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Préparation de grande surface verticales Crystal hétéro-structures 2D par l’intermédiaire de la sulfuration de Films de métaux de Transition pour la Fabrication de dispositifs
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Preparation of Large-area Vertical 2D Crystal Hetero-structures Through the Sulfurization of Transition Metal Films for Device Fabrication
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Préparation de grande surface verticales Crystal hétéro-structures 2D par l’intermédiaire de la sulfuration de Films de métaux de Transition pour la Fabrication de dispositifs

DOI:
10.3791/56494-v

•

08:50 min

•

November 28, 2017

•

, , ,
1Graduate Institute of Electronics Engineering,National Taiwan University, 2Research Center for Applied Sciences,Academia Sinica, 3Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics,National Taiwan University

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:47WS2/MoS2Vertical Heterostructure Growth
  • 03:49Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Thin Film Transfer
  • 06:21Results: Growth Mechanisms and Transistor Performance
  • 08:11Conclusion

Summary

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Par le biais de la sulfuration de métaux de transition antérieur, Hétéro-structures en cristal 2D de grande surface et verticale peuvent être fabriqués. Le film transfert et les procédures de fabrication de dispositif sont également illustrés dans ce rapport.

Tags

2D Crystal HeterostructuresVertical 2D MaterialsSulfurizationTransition Metal FilmsDevice FabricationRF SputteringSapphire SubstrateMolybdenum TargetSulfur PowderTube FurnaceArgon GasMolybdenum DisulfideTungsten Target

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