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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding
JoVE 杂志
工程学
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JoVE 杂志 工程学
Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding

Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding

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10:32 min

January 09, 2014

DOI:

10:32 min
January 09, 2014

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Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

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