This content is Free Access.
5,045 Views
•
07:24 min
•
May 10, 2021
DOI:
Summary
Automatically generated
نحن نقدم مخططا عاما لطرق التحليل الدقيق الكمية لتقدير إشغالات الموقع للشوائب وحالاتها الكيميائية من خلال الاستفادة من ظواهر توجيه الإلكترونات في ظل ظروف اهتزاز شعاع الإلكترون الحادث ، والتي تستخرج معلومات موثوقة من أنواع الأقليات ، وعناصر الضوء ، والشواغر الأكسجين ، وغيرها من عيوب النقطة / الخط / الخط.
Explore More Videos
Quantitative AnalysisAtomic-siteFunctional DopantsPoint DefectsCrystalline MaterialsElectron-channeling-enhanced MicroanalysisEnergy-dispersive X-ray SpectroscopyElectron Energy-loss SpectroscopyLattice DefectsVacanciesInterstitialsGrain BoundariesTransmission Electron MicroscopySTEMOptical Axis AlignmentBeam RockingCaustic SpotCondenser Aperture
Read Article
Cite this Article
Ohtsuka, M., Muto, S. Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis. J. Vis. Exp. (171), e62015, doi:10.3791/62015 (2021).
Copy